Наша производственная линия оснащена современным оборудованием и включает в себя следующие установки:

• синтеза полупроводниковых материалов
• вакуумного напыления;
• фотолитографии;
• диффузии и очистки;
• химической обработки и финишной очистки;
• приборами выходного контроля; 

Нами разрабатываются и производятся полупроводниковые тензочувствительные материалы на основе моносульфида самария (SmS). Их применение позволяет в значительной мере избавиться от присущих полупроводниковым датчикам механиче­ских величин недостатков. Материалы отличаются рекордно высокой чувст­вительностью (коэффициент тензочувствительности К = 50—260, коэффи­циент пьезосопротивления всестороннего сжатия до 5.8 • 1СГ^-3 МПа^-1), линейностью зависимости логарифма электросопротивления от деформа­ции; ТКС в климатическом интервале температур может быть получен сколь угодно малым. Материалы стойки на воздухе, механически достаточ­но прочны (предел прочности на сжатие 40 кг/мм²), температура плавления 2200 °С, температурный коэффициент линейного расширения примерно такой же, как у стали, 12 • 10^-6 град^-1.

    Высокая чувствительность материалов позволяет изготавливать на их основе барорезисторы, позволяющие измерять давления и локальные объемные напряжения от 1 до 2 • 10³ МПа при помещении их непосредст­венно в измеряемую газообразную, жидкую, твердую или пластичную среду при температурах от 4 до 700 К. Барорезисторы могут быть изготов­лены как в пленочном, так и монокристаллическом вариантах с чувстви­тельностью электросопротивления к давлению до 2.8 • 10^-3 МПа^-1 и до 5.8 • 10^-3 МПа^-1 соответственно.

Рис. 1. Пленочный барорезистор на основе SmS:

1 — диэлектрическая подложка; 2 — металлические контактные площадки; 3 — полу­проводниковый тензочувствительный слой.

     Разнообразная топология тензорезисторов позволяет применять их на упругих элементах датчиков давлений, сил, перемещений и т. п. любой кон­струкции

     Изготовляются мембраны, балки, цепочки, розетки, мостовые и полу­мостовые схемы, а также тензорезисторы с топологией по эскизам заказ­чика. Предлагаются также датчики для регистрации трещин; оригинальная конструкция этих датчиков позволяет получить на выходе мостовой схемы сигналы в виде прямоугольных импульсов. Могут быть изготовлены тензорезисторы, ком­пенсированные для любого материала, если представлены его образцы. ТКС тензорезисторов на SmS в климатическом интервале температур от -3 • 10^-4 град^-1 до -6 • 10^-3 град^-1 в зависимости от режимов напыления. Имеется возможность плавной регулировки параметров готового тензорезистора, например, для балансировки тензорезисторного моста.

Доставка в любую точку России. Дополнительная информация и консультации по тел. (812) 335-99-19 с 10 до 18 МСК.