Главная

  Новости

  Тензорезисторы на основе SmS

  Барорезисторы

  Тензодатчики

  Производство полупроводников SmS

  Фольговые тензорезисторы

  Измерительное оборудование и аксессуары

  Производство тензорезисторов

  Высокоэффективный термоэлектрический преобразователь (для инвесторов)

  Полезная информация

  Задайте нам ворос

  Прайс-лист

  Контакты

 
  Влияние магнитного поля на тензорезисторы

ПРОТОКОЛ

испытаний тензодатчиков в магнитном поле

  1. Цель испытаний: определение зависимости сопротивления датчиков при изменении индукции магнитного поля от нуля до 2 Тесла (20000 Гс).
  2. Источник магнитного поля: электромагнит ЭМ8-6 с полюсными наконечниками Ø120 мм,   источник питания.
  3. Результаты испытаний приведены в таблице. Тензодатчик SmS одноосный МТ.

 

 

Тензодатчик

М а г н и т н а я   и н д у к ц и я   В (Тл)

0

1 Тл (10000Гс)

2 Тл (20000 Гс)

1

1454,4

1454,4

1454,3

2

1257,3

1257,3

1257,2

3

32050

32045

32040

4

31870

31870

31870

Сопротивление датчика (Ом)

 

Тензодатчик приваривали на консольную балку равного сопротивления.

Нагружали 3 цикла до 8 кг.

 

III  нагружение

 

Нагрузка, кг

Сопротивление, кОм

(нагружение)

Сопротивление, кОм

(разгрузка)

0

 

1,6116

 

1,6116

1

 

1,6202

 

1,6202

 

2

1,6288

1,6289

3

1,6374

1,6374

6

1,6630

1,6630

8

1,6799

1,6799

 

 

Тензочувствительность S= 58±2