Новости
Компания получила официальное решение о выдаче патента по заявке №2014107779 "Тензорезистор на основе сульфида самария" от Федеральной службы по интеллектуальной собственности.
Авторы патенты: Каминский В.В., Молодых А.А., Соловьев С.М., Виноградов А.А.,
Володин Н.М.
Формула изобретения
Тензорезистор, включающий диэлектрическую подложку с нанесенной тензочувствительной пленкой из Sm1-xEuxS, где 0,22≤x≤0,50.
Реферат
Использование: при изготовлении датчиков деформации, силы, давления, перемещения, вибрации. Сущность изобретения заключается в том, что тензорезистор включает диэлектрическую подложку с нанесенной тензочувствительной пленкой из Sm1-xEuxS, где 0,22≤x≤0,50. Технический результат: обеспечение возможности повышения чувствительности измерений тензорезистора.