Новости

Наш патентный портфель пополнился еще одним патентом - "Полупроводниковый датчик кислорода". Патенту был присвоен номер №2546849. Официальная регистрация патента - 04 марта 2015. 

Авторы: Каминский В.В., Казаков С.А.

Реферат

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания кислорода. Газовый датчик содержит диэлектрическую подложку с нанесенным слоем полупроводникового материала толщиной от 0,07мкм до 0.2 мкм. На слой нанесены металлические электроды. В качестве полупроводникового материала используется поликристаллический материал состава Sm1-xLnxS, где х изменяется от 0 до 0.14, а Ln представляет собой один из элементов: La, Ce, Pr, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu. Технический результат - изготовление датчика для измерения содержания кислорода, обладающего повышенной чувствительностью.